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JAN2N3867中文资料

JAN2N3867图片

JAN2N3867外观图

  • 大小：61.14KB
  • 厂家：MICROSEMI [Microsemi Corporation]
  • 描述：Silicon PNP Power Transistors
  • 现有数量：0现货
  • 价格：Digi-Key 停止提供
  • 系列：Military, MIL-PRF-19500/350
  • 包装：散装
  • 产品状态：Digi-Key 停止提供
  • 晶体管类型：PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 250mA，2.5A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）：100μA（ICBO）
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 1.5A，2V
  • 功率 - 最大值：1 W
  • 频率 - 跃迁：-
  • 工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐
  • 供应商器件封装：TO-5

JAN2N3867供应商

更新时间:2023-01-18 01:56:52
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